IRFZ44NSTRLPBF-VB
N沟道 耐压:60V 电流:75A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFZ44NSTRLPBF-VB
- 商品编号
- C45662534
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
总价金额:
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