IRF9Z34NSTRLPBF-VB
P沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO263;P—Channel沟道,-60V;-30A;RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9Z34NSTRLPBF-VB
- 商品编号
- C45662529
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个800个/圆盘
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