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IRF9Z34NSTRLPBF-VB实物图
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IRF9Z34NSTRLPBF-VB

P沟道 耐压:60V 电流:30A

描述
台积电流片,长电科技封装;TO263;P—Channel沟道,-60V;-30A;RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。
商品型号
IRF9Z34NSTRLPBF-VB
商品编号
C45662529
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))77mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)19nC@0V
属性参数值
输入电容(Ciss)1nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)210pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

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