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IRF9530NSTRLPBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF9530NSTRLPBF-VB

耐压:100V 电流:12A

描述
台积电流片,长电科技封装;TO263;P—Channel沟道,-100V;-12A;RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款单路P型MOSFET,采用了Trench技术,适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
商品型号
IRF9530NSTRLPBF-VB
商品编号
C45662531
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.64克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))240mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
输入电容(Ciss)2.765nF
反向传输电容(Crss)280pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)330pF

商品特性

  • 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
  • TrenchFET功率MOSFET
  • 100%进行Rq和UIS测试
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

  • 电源开关
  • 大电流应用中的负载开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF