IRF9530NSTRLPBF-VB
耐压:100V 电流:12A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO263;P—Channel沟道,-100V;-12A;RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款单路P型MOSFET,采用了Trench技术,适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9530NSTRLPBF-VB
- 商品编号
- C45662531
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电源开关
- 大电流应用中的负载开关
- DC/DC转换器
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