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SQM120P06-07L_GE3-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQM120P06-07L_GE3-VB

P沟道 耐压:60V 电流:130A

描述
台积电流片,长电科技封装;TO263;P—Channel沟道;-60V;-130A;RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-3.5V;采用Trench技术
商品型号
SQM120P06-07L_GE3-VB
商品编号
C45662530
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
1.63克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)230nC@10V
输入电容(Ciss)18nF
反向传输电容(Crss)900pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)1.2nF

商品特性

-沟槽功率MOSFET-低热阻封装

应用领域

  • 电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)

数据手册PDF