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SQM120P06-07L_GE3-VB
P沟道 耐压:60V 电流:130A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-60V；-130A；RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-3.5V；采用Trench技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQM120P06-07L_GE3-VB
- 商品编号
- C45662530
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 900pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
优惠活动
购买数量
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