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STF14N80K5-VB
N沟道MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道,800V；11A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多个电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STF14N80K5-VB
- 商品编号
- C45662524
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.227nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
- 负载开关
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