FQP6N90C-VB

N沟道900V（D-S）超结功率MOSFET

描述

台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,900V；5A；RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种驱动电路、中小功率的应用场合。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

FQP6N90C-VB

商品编号

C45662526

商品封装

TO-220AB​

包装方式

管装

商品毛重

2克(g)