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IXFH20N85X-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IXFH20N85X-VB

N沟道 耐压:800V 电流:20A

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描述
台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,800V；20A；RDS(ON)=205mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应晶体管，适用于工业电源模块、电动汽车充电桩等领域和模块。
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IXFH20N85X-VB
商品编号
C45662521
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
10.81克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))240mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
输入电容(Ciss)3.315nF
反向传输电容(Crss)489pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)148pF

数据手册PDF

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