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SI7145DP-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:30V 电流:100A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7145DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C45662513
- 商品封装
- DFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.125nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.215nF |
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