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SIRA20DP-T1-RE3-VB
N沟道 耐压:20V 电流:150A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；QFN8(5X6)N—Channel沟道,20V；150A；RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2.5V；是一款采用Trench技术单N型MOS场效应晶体管，适用于功率放大模块、电动工具模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIRA20DP-T1-RE3-VB
- 商品编号
- C45662518
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.975nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.995nF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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