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CSD17576Q5B-VB
N沟道 耐压:30V 电流:128A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；128A；RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；是一款单体N型场效应管，采用Trench技术，适用于高功率和高电流的应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD17576Q5B-VB
- 商品编号
- C45662517
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.265nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 171pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.225nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 或门应用
- 服务器
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