温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7489DP-T1-GE3-VB
3Datasheet DFN8(5X6)封装，100V单P沟道沟槽MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-100V；-28A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.8~-3V；是一款一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7489DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C45662514
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- CSD18532Q5BT-VB
- SIRA80DP-T1-RE3-VB
- CSD17576Q5B-VB
- SIRA20DP-T1-RE3-VB
- ISC060N10NM6ATMA1-VB
- NTMFS015N10MCLT1G-VB
- IXFH20N85X-VB
- IPW65R190CFD-VB
- STW12N120K5-VB
- STF14N80K5-VB
- FQP8P10-VB
- FQP6N90C-VB
- CSD19505KCS-VB
- IRFS7430TRL7PP-VB
- IRF9Z34NSTRLPBF-VB
- SQM120P06-07L_GE3-VB
- IRF9530NSTRLPBF-VB
- SUM90P10-19L-E3-VB
- IRLZ34NSTRLPBF-VB
- IRFZ44NSTRLPBF-VB
- IRFS4321TRLPBF-VB