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CSD25404Q3-VB
20V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；QFN8(3X3)；P—Channel沟道,-20V；-52A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.8~-1.2V；是一款采用Trench技术单P型MOSFET，适用于电源管理领域、电机驱动和控制等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD25404Q3-VB
- 商品编号
- C45662502
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
商品特性
-TrenchFET功率MOSFET-热增强型DFN3X3封装-低导通电阻,低压降-符合RoHS标准-无卤
应用领域
-便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关
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