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CSD25404Q3-VB实物图
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CSD25404Q3-VB

CSD25404Q3-VB

描述
台积电流片,长电科技封装;QFN8(3X3);P—Channel沟道,-20V;-52A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.8~-1.2V;是一款采用Trench技术单P型MOSFET,适用于电源管理领域、电机驱动和控制等领域和模块。
商品型号
CSD25404Q3-VB
商品编号
C45662502
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
导通电阻(RDS(on))5mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)89W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@8V
输入电容(Ciss)4.6nF
反向传输电容(Crss)570pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)830pF

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

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