CSD25404Q3-VB
CSD25404Q3-VB
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;QFN8(3X3);P—Channel沟道,-20V;-52A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.8~-1.2V;是一款采用Trench技术单P型MOSFET,适用于电源管理领域、电机驱动和控制等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD25404Q3-VB
- 商品编号
- C45662502
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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