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DMP4011SPSQ-13-VB实物图
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DMP4011SPSQ-13-VB

DFN8(5X6)封装,40V沟槽单PMOS场效应晶体管

描述
台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);P—Channel沟道,-40V;-40A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.2~-2.3V;是一款单P通道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于多种电子领域和模块。
商品型号
DMP4011SPSQ-13-VB
商品编号
C45662512
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)134nC@10V
输入电容(Ciss)3.65nF
反向传输电容(Crss)350pF
类型P沟道
输出电容(Coss)386pF

数据手册PDF

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