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DMT6007LFG-7-VB

Trench DFN8(3X3) 60V单N沟道MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;QFN8(3X3);N—Channel沟道,60V;30A,RDS(ON)=5mΩ@10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款采用Trench技术技术高性能单N沟道MOSFET,适用于电源管理、电动汽车等领域和模块。
商品型号
DMT6007LFG-7-VB
商品编号
C45662504
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
输入电容(Ciss)2.65nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)470pF

数据手册PDF

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