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DMT6007LFG-7-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT6007LFG-7-VB

Trench DFN8(3X3) 60V单N沟道MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;QFN8(3X3);N—Channel沟道,60V;30A,RDS(ON)=5mΩ@10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款采用Trench技术技术高性能单N沟道MOSFET,适用于电源管理、电动汽车等领域和模块。
商品型号
DMT6007LFG-7-VB
商品编号
C45662504
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)136W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)2.65nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)470pF

商品特性

  • 结温175 °C
  • TrenchFET功率MOSFET
  • 材料分类:DFN 3x3 EP
  • N沟道MOSFET

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度放电 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF