DMT6007LFG-7-VB
Trench DFN8(3X3) 60V单N沟道MOSFET
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;QFN8(3X3);N—Channel沟道,60V;30A,RDS(ON)=5mΩ@10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款采用Trench技术技术高性能单N沟道MOSFET,适用于电源管理、电动汽车等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMT6007LFG-7-VB
- 商品编号
- C45662504
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 结温175 °C
- TrenchFET功率MOSFET
- 材料分类:DFN 3x3 EP
- N沟道MOSFET
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度放电 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)
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