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SI7461DP-T1-GE3-VB
-60V单沟槽MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-60V；-60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=-1.5~-3.5V；是一款单PMOSFET器件，采用Trench技术，广泛应用于各种电子领域和应用中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7461DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C45662510
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
优惠活动
购买数量
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