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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR5607DP-T1-RE3-VB

P沟道 耐压:60V 电流:80A

描述
台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);P—Channel沟道;-60V;-80A;RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=-3V;采用Trench技术
商品型号
SIR5607DP-T1-RE3-VB
商品编号
C45662511
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.133333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)68W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss)12nF
反向传输电容(Crss)275pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)450pF

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关电源(SMPS)

数据手册PDF