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SIR5607DP-T1-RE3-VB
P沟道 耐压:60V 电流:80A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；P—Channel沟道；-60V；-80A；RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=-3V；采用Trench技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIR5607DP-T1-RE3-VB
- 商品编号
- C45662511
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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