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CSD16327Q3-VB
N沟道，20V（D-S）MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道,20V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；是一款采用Trench技术的单N型MOSFET，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD16327Q3-VB
- 商品编号
- C45662507
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 257nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
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