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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CSD16327Q3-VB

N沟道,20V(D-S)MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3);N—Channel沟道,20V;100A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.5~1V;是一款采用Trench技术的单N型MOSFET,适用于多种电子领域和模块。
商品型号
CSD16327Q3-VB
商品编号
C45662507
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.045455克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)257nC@10V
反向传输电容(Crss)970pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.725nF

商品特性

  • 沟槽场效应功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令

应用领域

-或门功能-服务器-直流-直流转换

数据手册PDF