STL42P6LLF6-VB
-60V单P沟道沟槽型DFN8(5X6) MOSFET
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);P—Channel沟道,-60V;-36A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-2.5V;是一款单P型MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电源控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STL42P6LLF6-VB
- 商品编号
- C45662509
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 275nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
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