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STL42P6LLF6-VB

-60V单P沟道沟槽型DFN8(5X6) MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);P—Channel沟道,-60V;-36A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-2.5V;是一款单P型MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电源控制和开关应用。
商品型号
STL42P6LLF6-VB
商品编号
C45662509
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1375克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@10V
耗散功率(Pd)68W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)275nC@10V
输入电容(Ciss)3.4nF
反向传输电容(Crss)275pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)450pF

数据手册PDF

优惠活动

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