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AONR66406-VB

DFN8(3X3) 封装,40V 单 N 沟道沟槽 MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;QFN8(3X3);N—Channel沟道,40V;40A;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.1~2.2V;是一款单路N沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于高性能功率控制和开关应用。
商品型号
AONR66406-VB
商品编号
C45662505
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.33nF
反向传输电容(Crss)66pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.2nF

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