CSD17581Q3AT-VB

N沟道 耐压:30V 电流:60A

描述

台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

CSD17581Q3AT-VB

商品编号

C45662506

商品封装

DFN-8(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.05克(g)