CSD18543Q3AT-VB
60V单通道N沟道,DFN8(3X3)封装MOSFET
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,60V;15A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,适用于需要中等功率场效应管的应用场景,例如电源模块、驱动模块、LED照明模块和工业控制模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD18543Q3AT-VB
- 商品编号
- C45662503
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个5000个/圆盘
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