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CSD18543Q3AT-VB

60V单通道N沟道,DFN8(3X3)封装MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,60V;15A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,适用于需要中等功率场效应管的应用场景,例如电源模块、驱动模块、LED照明模块和工业控制模块等领域。
商品型号
CSD18543Q3AT-VB
商品编号
C45662503
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036364克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)70nC@0V
属性参数值
输入电容(Ciss)2.65nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)470pF

数据手册PDF

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