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FDD6680AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6680AS
- 商品编号
- C467446
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V,12.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
FDS8842NZ旨在最大限度地降低电源转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 14.9 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 7.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 11.6 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 11.6 mΩ
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级典型值为4.4 kV
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（rDS(on)）和快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑Vcore和服务器的同步降压电路
- 笔记本电脑电池
- 负载开关