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FDS8935
2个P沟道 耐压:80V 电流:2.1A 停产
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8935
- 商品编号
- C464167
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 247mΩ@4.5V,1.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 879pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -2.1 A时，最大导通电阻rDS(on) = 183 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -1.9 A时，最大导通电阻rDS(on) = 247 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 100%通过UI1测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 同步整流器