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FDMS2734
FDMS2734
- 描述
- UItraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式能效。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS2734
- 商品编号
- C462740
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 122mΩ@10V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.365nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为10.7 A时，最大漏源导通电阻为12.3 mΩ
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为9.5 A时，最大漏源导通电阻为15.4 mΩ
- 经过100% UII L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 同步整流器
- 初级开关