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FDMS3672
1个N沟道 耐压:100V 电流:22A
- 描述
- UItraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式能效。此类器件针对 Rds(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3672
- 商品编号
- C462741
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,7.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UltraFET器件结合了多种特性，可在电源转换应用中实现卓越的效率。这些器件针对导通电阻rDS(on)、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷和低米勒栅极电荷进行了优化，非常适合高频直流-直流转换器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 7.4 A时，最大导通电阻rDS(on) = 23 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 6.6 A时，最大导通电阻rDS(on) = 29 mΩ
- 在VGS = 10 V时，典型栅极电荷Qg = 31 nC
- 低米勒电荷
- 高频下效率优化
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换