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FDMS2572
1个N沟道 耐压:150V 电流:27A
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- 描述
- UltraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对低 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS2572
- 商品编号
- C462739
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF@1960V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UltraFET器件融合了多种特性，可在电源转换应用中实现卓越的效率。这些器件针对导通电阻（rDS(on)）、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷和低米勒栅极电荷进行了优化，非常适合高频直流-直流转换器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 4.5 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 47 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 4.5 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 53 mΩ
- 低米勒电荷
- 高频下效率优化
- 具备单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关（UIS）能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 24V和48V系统的初级开关
- 高压同步整流器