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FDMC8854
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- N沟道,30V,15A,5.7mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8854
- 商品编号
- C462735
- 商品封装
- MLP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.405nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 435pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺，具备坚固的栅极结构。它针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A条件下，最大rDS(on) = 5.7 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 13 A条件下，最大rDS(on) = 7.6 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度为1mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换