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FDMC89521L
2个N沟道 耐压:60V 电流:8.2A
- 描述
- 此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个 60V N 沟道 MOSFET。该封装针对卓越热性能进行了改善。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC89521L
- 商品编号
- C462736
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.635nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 15 A 时，漏源导通电阻 (RDS(on)) = 31 mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低，栅极电荷 (QG) = 14.3 nC（典型值）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻 (RDS(on))
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-消费电器-LED电视-同步整流-不间断电源-电机太阳能逆变器