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FDMD8530
2个N沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8530
- 商品编号
- C462737
- 商品封装
- Power(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 201A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25mΩ@10V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.395nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥；全桥 |
商品概述
该器件在双功率（5 mm X 6 mm）封装中集成了两个30V N沟道MOSFET。高侧源极和低侧漏极内部连接，适用于半桥/全桥应用，采用低源极电感封装，具备低rDS(on) / Qg品质因数的硅片。
商品特性
- Q1：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时，最大rDS(on) = 1.25 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 32 A时，最大rDS(on) = 1.5 mΩ
- Q2：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时，最大rDS(on) = 1.25 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 32 A时，最大rDS(on) = 1.5 mΩ
- 非常适合桥拓扑结构初级侧的灵活布局
- 经过100% UI1L测试
- 具备开尔文高侧MOSFET驱动引脚功能
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载点同步双路应用
- 单相电机半桥应用
- 半桥/全桥次级同步整流应用