- 引脚图
- 焊盘图
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VBM1301
VBM1301
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,30V；260A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；是一款单N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高功率开关和电流控制的应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1301
- 商品编号
- C42412614
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 179nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12.484nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 860pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.204nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义,无卤
- 沟槽功率 MOSFET
- 低热阻封装
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理