- 引脚图
- 焊盘图
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VBC1307
VBC1307
- 描述
- TSSOP8；N—Channel沟道,30V；10A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低压高电流的电子电路设计。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC1307
- 商品编号
- C42412635
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑系统电源
- 低电流直流-直流(DC/DC)转换