- 引脚图
- 焊盘图
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VBQA2625
VBQA2625
- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-60V；-36A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA2625
- 商品编号
- C42412637
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- P沟道MOSFET