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VBE2102N
VBE2102N
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-100V；-50A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单路P型MOSFET，采用Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2102N
- 商品编号
- C42412641
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 漏极连接到散热片
- P沟道MOSFET