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VBE2102N
VBE2102N
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-100V；-50A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单路P型MOSFET，采用Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2102N
- 商品编号
- C42412641
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本
- 符合 RoHS 标准