- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBC6P2216
VBC6P2216
- 描述
- TSSOP8；2个P—Channel沟道,-20V；-7.5A；RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-0.1V；是一款双路P+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电路应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC6P2216
- 商品编号
- C42412648
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-适配器开关-高电流负载开关-笔记本电脑