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VBMB1152N
VBMB1152N
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,150V；50A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；是一个单晶N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1152N
- 商品编号
- C42412650
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175°C
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-隔离式DC/DC转换器