- 引脚图
- 焊盘图
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VBMB1152N
VBMB1152N
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,150V；50A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；是一个单晶N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1152N
- 商品编号
- C42412650
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175°C
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-隔离式DC/DC转换器