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VBGQT11505实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBGQT11505

VBGQT11505

描述
TOLL;N—Channel沟道,150V;170A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4.5V;是一款单通道N型MOS场效应管,采用SGT技术,适用于特定的安装需求。
商品型号
VBGQT11505
商品编号
C42412652
商品封装
TOLL-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.952克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)370W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80nC
输入电容(Ciss)6.5nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)246pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 最高结温150°C
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器

数据手册PDF