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VBGM1201N
VBGM1201N
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N型场效应管，采用SGT技术，适用于各种需要高功率、高电压和高效率的应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGM1201N
- 商品编号
- C42412656
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 最高结温175 °C
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流-直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流-交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器