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VBGQT1601实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBGQT1601

VBGQT1601

描述
TOLL;N—Channel沟道,60V;340A;RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4.5V;是一款单体N型MOSFET,采用SGT工艺,适用于高功率电子设备的散热要求。
商品型号
VBGQT1601
商品编号
C42412655
商品封装
TOLL-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.952克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)340A
导通电阻(RDS(on))1mΩ@10V
耗散功率(Pd)370W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80nC
输入电容(Ciss)9.8nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)246pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 最高结温175°C
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 电源
  • 不间断电源
  • AC/DC开关模式电源
  • 照明
  • 同步整流
  • DC/DC转换器
  • 电机驱动开关
  • DC/AC逆变器
  • 太阳能微型逆变器
  • D类音频放大器

数据手册PDF