VBL1201N
VBL1201N
- 描述
- TO263;N—Channel沟道,200V;100A;RDS(ON)=7.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款单N型功率场效应管,采用Trench技术,适用于各种高压高功率的电力应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL1201N
- 商品编号
- C42412651
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
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