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VBL1201N
VBL1201N
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,200V；100A；RDS(ON)=7.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于各种高压高功率的电力应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL1201N
- 商品编号
- C42412651
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 雷电功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交流/直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流/交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器