- 引脚图
- 焊盘图
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RU1HP35L-VB
RU1HP35L-VB
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-100V；-50A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单路P型MOSFET，采用Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RU1HP35L-VB
- 商品编号
- C42412642
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 漏极连接至散热片
- P沟道MOSFET
应用领域
- 计算系统电源-负载点电源-同步降压转换器