- 引脚图
- 焊盘图
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VBE1251K
VBE1251K
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,250V；4.5A；RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1251K
- 商品编号
- C42412638
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 640mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 提供卷带包装
- 快速开关
- 易于并联
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供DPAK(TO - 252)封装
- N沟道MOSFET