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VBE1251K
VBE1251K
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,250V；4.5A；RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1251K
- 商品编号
- C42412638
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 可提供
- 符合RoHS标准