- 引脚图
- 焊盘图
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VBQF3211
VBQF3211
- 描述
- DFN8(3X3)；2个N—Channel沟道,20V；25A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=0.4~1V；是一款高性能的双极N沟MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电路应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF3211
- 商品编号
- C42412640
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
-沟槽功率MOSFET
应用领域
-直流-直流转换-笔记本系统电源-负载点电源