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VB125N5K
N沟道 耐压:250V 电流:0.3A
- 描述
- SOT23；N—Channel沟道,250V；0.3A；RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；这是一款单N沟道场效应晶体管；采用Trench工艺；适用于低功率的开关和控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB125N5K
- 商品编号
- C42412629
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 经过100% Rg和UIS测试
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC