- 引脚图
- 焊盘图
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VBC2333
VBC2333
- 描述
- TSSOP8；P—Channel沟道,-30V；-5A；RDS(ON)=45mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~1V；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电路应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC2333
- 商品编号
- C42412633
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 970mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
应用领域
- 便携式应用的负载开关-便携式设备的电池开关-计算机-总线开关-负载开关-P沟道MOSFET