- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBC6N2005
VBC6N2005
- 描述
- TSSOP8；2个N—Channel沟道,20V；11A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.6~1.2V；是一款共栅N+N结构设计场效应管，采用Trench技术，适用于高功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC6N2005
- 商品编号
- C42412634
- 商品封装
- TSSOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 926pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤素
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC