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VBC6N2005
VBC6N2005
- 描述
- TSSOP8；2个N—Channel沟道,20V；11A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.6~1.2V；是一款共栅N+N结构设计场效应管，采用Trench技术，适用于高功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC6N2005
- 商品编号
- C42412634
- 商品封装
- TSSOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤素
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC