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VBE2152M
VBE2152M
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-150V；-15A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2152M
- 商品编号
- C42412630
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 或门功能
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块（VRMs）和嵌入式DC/DC
- DC/AC逆变器
- 负载开关