- 引脚图
- 焊盘图
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VBE2152M
VBE2152M
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-150V；-15A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2152M
- 商品编号
- C42412630
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 或门功能
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块（VRMs）和嵌入式DC/DC
- DC/AC逆变器
- 负载开关