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VBJ1152M
VBJ1152M
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,150V；3A；RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，在小功率电源、消费类电子、医疗器械和LED照明等领域中广泛应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ1152M
- 商品编号
- C42412615
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤