- 引脚图
- 焊盘图
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VBJ1152M
VBJ1152M
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,150V；3A；RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，在小功率电源、消费类电子、医疗器械和LED照明等领域中广泛应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ1152M
- 商品编号
- C42412615
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 283mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关