- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A；11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W；16.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V；2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC；3.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF；400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF；25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF；155pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- DFN封装为同步降压转换器优化高端和低端MOSFET
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-计算系统电源-负载点电源-同步降压转换器