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VB7202M
N沟道 耐压:200V 电流:4A
- 描述
- SOT23-6；N—Channel沟道,200V；4A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；是一款低功耗、高性能的单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高性能、低功耗的电子设备和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB7202M
- 商品编号
- C42412628
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 低导通电阻
- 100% Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-DC/DC 转换器-高速开关