- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBJ2201K
VBJ2201K
- 描述
- SOT223；P—Channel沟道,-200V；-2A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5~-4.5V；是一款具有多种特性和应用领域的单P型Trench技术的场效晶体管，适用于多种领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ2201K
- 商品编号
- C42412617
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 950mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 超低导通电阻
- 小尺寸
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤产品
应用领域
- DC/DC 电源中的有源钳位电路